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專注于單晶硅領(lǐng)域的中環(huán)股份昨日在津召開新產(chǎn)品發(fā)布會，重點(diǎn)展示了在半導(dǎo)體節(jié)能領(lǐng)域和太陽能光伏領(lǐng)域取得的三項(xiàng)最新技術(shù)突破，分別是8英寸區(qū)熔硅單晶、〈110〉晶向直拉硅單晶、CFZ（直拉區(qū)熔技術(shù)）高效太陽能電池硅單晶。公司表示，這三項(xiàng)技術(shù)的成功突破，將進(jìn)一步提升企業(yè)在這兩個(gè)領(lǐng)域的競爭力，為企業(yè)的未來發(fā)展帶來新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。

預(yù)計(jì)到2012年底，中環(huán)股份8英寸區(qū)熔硅單晶片生產(chǎn)規(guī)模將達(dá)到5000片/月以上，打破了國外對8英寸區(qū)熔硅單晶生長技術(shù)的封鎖。

區(qū)熔硅單晶已成為IGBT的主體功能性材料。IGBT是新一代的功率半導(dǎo)體器件，其技術(shù)應(yīng)用的核心是通過電源頻率調(diào)制實(shí)現(xiàn)整機(jī)、裝置的控制和節(jié)能，其產(chǎn)品應(yīng)用已覆蓋高速機(jī)車、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能、新能源、節(jié)能家電等領(lǐng)域。2010年中國IGBT市場規(guī)模約70億元，未來預(yù)計(jì)將以25%以上的速度增長。目前，全球有近20家區(qū)熔硅單晶制造商，其中前5家公司壟斷了全球產(chǎn)量的95.5%以上，中環(huán)股份占據(jù)第三的位置。

在太陽能光伏領(lǐng)域，CFZ高效太陽能電池硅單晶，將成為公司未來在太陽能行業(yè)的核心競爭力和利潤增長點(diǎn)。該技術(shù)使得轉(zhuǎn)換效率達(dá)到24%~26%，接近理論極限值，遠(yuǎn)高于目前國內(nèi)17%左右的轉(zhuǎn)化率，進(jìn)而大幅提升發(fā)電企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。同時(shí)，相對于目前太陽能行業(yè)普遍應(yīng)用的CZ（直拉）單晶硅生長方法而言，CFZ具有更低成本、更高產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)勢，可采用低品質(zhì)的多晶硅生產(chǎn)高品質(zhì)產(chǎn)品，而采購的多晶硅成本較普通多晶硅低5%以上。目前該項(xiàng)技術(shù)世界上只有中環(huán)股份掌握，公司具有產(chǎn)品的議價(jià)權(quán)。

〈110〉晶向直拉硅單晶，主要應(yīng)用于超薄太陽能電池，該技術(shù)既可節(jié)約硅材料3倍左右，同時(shí)使用其生產(chǎn)的電池片柔韌性好，適用于特殊場合。目前公司已開始批量生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2012年一季度產(chǎn)量將達(dá)到2.5噸，至2013年三季度，產(chǎn)量將有望提升至40噸/年；而裝機(jī)容量將從目前的5兆瓦，提升至2015年的75兆瓦。