高效晶體硅電池技術-去邊技術
來源:網絡來源 日期:2012-9-6 作者:全球電池網 點擊:
產業化的周邊PN結去除方式是等離子體干法刻蝕,該方法技術成熟、產量大,但存在過刻、鉆刻及不均勻的現象,不僅影響電池的轉換效率,而且導致電池片蹦邊、色差與缺角等不良率上升。激光開槽隔離技術根據PN結深度而在硅片邊緣開一物理隔離槽,但與國外情況相反,據國內使用情況來看電池效率反而不及等離子體刻蝕技術,因此該方法有待進一步研究。
目前行業出現的另外一種技術——化學腐蝕去邊與背面腐蝕拋光技術集刻蝕與去PSG一體,背面絨面的拋光極大降低了入射光的透射損失、提高電池紅光響應。該方法工藝簡單、易于實現inline自動化生產,不存在“鉆刻”與刻蝕不均勻現象,工藝相對穩定,因此盡管配套設備昂貴但仍引起業內廣泛關注。
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